台積電(2330)昨(1 )日宣布,與日本半導體大廠瑞薩合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)技術,以支援應用在新世代環保和自動駕駛所需的微控制器(MCU)。相關產品將是首顆採用台積電28奈米製程的車用MCU,預定明年送樣,2020年量產。這項合作案,將讓台積電向智能汽車布局,再跨一大步。
台積電表示,與瑞薩自90奈米製程就開始密切合作開發內建快閃記憶體的MCU產品。雙方在40奈米MCU平台與生產合作四年後,再投入應用於環保車和自動駕駛車用的28奈米製程MCU。
台積電強調,瑞薩具備高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽(MONOS)eFlash技術,這次雙方合作,將結合台積電高效能、低功耗的28奈米高介電層金屬閘(HKMG)製程技術,生產全球頂尖的車用MCU,應用在自動駕駛車的感測器控制、電子控制單元間的協調控制、環保汽車的高效率燃油引擎控制、以及電動車的高效率馬達變頻器控制。
為了滿足未來自動駕駛車對於高效能與安全性的嚴格要求,台積電表示,新世代MCU,利用3D雷達監測車輛四周環境,以高精度的感測功能,同時可整合多個感測器的資料,並且具備自動駕駛操作時所需的即時判斷處理能力。
另外,也能提供自動駕駛功能所需快速處理複雜的控制任務,提高汽車整體系統的能源效率及功能安全性。
台積電預期,除了自動駕駛車用控制外,這項新的MCU,透過此項合作所開發的28奈米eFlash製程技術, 讓內建的程式記憶體容量可比目前的40奈米技術多出四倍以上,將廣泛應用在工業4.0領域。
台積電業務開發副總經理金平中表示,和瑞薩合作,證明台積電可以提供具有競爭力的技術,為客戶產品創造最大價值。
沒有留言:
張貼留言